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筆記本ddr3和ddr4的區(qū)別

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標(biāo)準(zhǔn)電壓是有區(qū)別的，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.5V，而DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.2V，單條容量也是有區(qū)別的，DDR3常見容量為從512MB到8GB，單條16GB的DDR3是相當(dāng)稀少的，而DDR4條容量有4GB、8GB和16GB 。
不僅如此，DDR3和DDR4的內(nèi)存針腳也是不同的，DDR3為240個(gè)，而DDR4則為284個(gè)，DDR4的防呆缺口也與DDR3的位置不同，還有一點(diǎn)改變就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低有輕微的曲線 。
傳輸速度也是有區(qū)別的，其中DDR3的傳輸速度主要是在800MHz到2133MHz之間，而DDR4的傳輸速度則是從2133MHz起跳，相對(duì)來說有著更快的傳輸速度 。
【筆記本ddr3和ddr4的區(qū)別】資料拓展：DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格，它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格 。

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